证券日报网讯  广电计量11月6日在互动平台回答投资者提问时表示，目前公司可解决高端芯片的微小、多层缺陷的识别与暴露，通过InGaAs、OBIRCH和Thermal热点设备可以精确捕捉到芯片内部微小的电应力、工艺结构等缺陷造成的漏电或短路异常，通过高分辨纳米管CT可以用无损定位2.5D、3D高阶封装内部的微小缺陷，同时可以结合DPA/DB-FIB/P-FIB/TEM进行先进封装芯片的封装工艺监控、高阶芯片如4nm工艺改进等，为高端算力芯片的设计与制造提供验证及分析服务。

（编辑 姚尧）